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责任编辑
分类号
杂志ISSN号
32 微电子器件SEU灵敏体积研究
引用本文:
路秀琴,刘建成,郭继宇,郭刚,沈东军,惠宁,倪嵋楠,孔福全,张庆祥,黄治,张振龙,韩建伟.32 微电子器件SEU灵敏体积研究[J].中国原子能科学研究院年报,2004(1):57-58.
作者姓名:
路秀琴
刘建成
郭继宇
郭刚
沈东军
惠宁
倪嵋楠
孔福全
张庆祥
黄治
张振龙
韩建伟
作者单位:
[1]不详 [2]中国科学院空间科学与应用研究中心
摘 要:
航天微电子器件灵敏体积(Sv)的厚度d在预估空间单粒子效应中是一个关键参数。这是由于多数预估单粒子翻转(SEU)率的模型都用到灵敏体积的概念。人们假定器件灵敏区是个长方的六面体(RPP模型),当入射粒子在该长方六面体中沉积的能量大于临界能量时引起SEU等事件。由于缺乏灵敏体积的准确信息,通常采用2μm的厚度,使预估得出不满意的结果。器件灵敏层前面的死层厚度也严重的影响测量和预估的结果。研究从实验上测量灵敏体积(Sv)的实际大小,是精确预估器件空间SEE率的关键。
关 键 词:
微电子器件
SEU
灵敏
体积
PP模型
临界能量
单粒子效应
单粒子翻转
关键参数
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