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| 用ZnO压敏电阻在HT-6M上对V_L及I_P的剪裁实验与分析 | |
| 引用本文： | 范叔平,刘保华,叶民友,罗家融.用ZnO压敏电阻在HT-6M上对V_L及I_P的剪裁实验与分析[J].中国核科技报告,1992(Z3). |
| 作者姓名： | 范叔平 刘保华 叶民友 罗家融 |
| 作者单位： | 中国科学院等离子体物理研究所 合肥 (范叔平，刘保华，叶民友)，中国科学院等离子体物理研究所 合肥(罗家融) |
| 摘 要： | 提出了利用ZnO(氧化锌)压敏电阻来改善平顶段波形的思想。在HT-6M的V_L、I_P剪裁实验中,获得了几十毫秒的理想平顶(△V_L/V_L<5％,△I_p/I_p<5％,△N_e/N_e<10％)。显然,一个稳定不变化的温度及密度分布对许多诊断以及进一步的物理工作有重要意义。还分析了HT-6M的角向场回路,比较了计算和实验结果,介绍了压敏电阻脉冲应用的基本原则。并指出,对铁蕊托克马卡可推广到上升段使用。 |
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