| 直流电沉积制备纳米铜丝阵列 |
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| 引用本文： | 周兰,杜凯,肖江,张伟,万小波,方瑜.直流电沉积制备纳米铜丝阵列[J].原子能科学技术,2008,42(9):769-772. |
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| 作者姓名： | 周兰 杜凯 肖江 张伟 万小波 方瑜 |
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| 作者单位： | 中国工程物理研究院 ;激光聚变研究中心，四川 ;绵阳621900 |
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| 摘 要： | 研究采用模板法直流电沉积制备纳米铜丝阵列。基底选用阳极三氧化二铝硬模板，膜底磁控溅射1层薄铜层（1μm以下）做导电底衬，再利用直流电沉积法制备出纳米铜丝阵列。由此工艺所制备的纳米铜丝长度可达50μm左右、直径约为250nm，丝阵含铜量高。讨论了阴极电流密度、阴极电位、模板类型、模板孔径等因素对纳米铜丝生长的影响，为惯性约束聚变（ICF）实验除金腔靶外的其它金属靶的研究提供了一种新方法。
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| 关 键 词： | 三氧化二铝膜板 直流电沉积 纳米铜丝阵列 |
| 收稿时间： | 2007-12-18 |
| 修稿时间： | 2008-01-14 |
Synthesis of Cu Nanowire Array by DC Electrodeposition |
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| ZHOU Lan,DU Kai,XIAO Jiang,ZHANG Wei,WAN Xiao-bo,FANG Yu.Synthesis of Cu Nanowire Array by DC Electrodeposition[J].Atomic Energy Science and Technology,2008,42(9):769-772. |
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| Authors: | ZHOU Lan DU Kai XIAO Jiang ZHANG Wei WAN Xiao-bo FANG Yu |
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| Affiliation: | Research Center of Laser Fusion, China Academy of Engineering Physics, ;P.O.Box 919-987, Mianyang 621900, China ; |
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| Abstract: | The technique to synthesize Cu nanowire array on anodized Al2O3 templates coated with a thin Cu film by electrodeposition was presented. The length and diameter of Cu nanowires are about 50 μm and 250 nm, respectively. The effects of the current density, the cathode potential, and the pore size of the Al2O3 template on the resultant nanowire were analyzed and discussed. |
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| Keywords: | Al2O3 template DC electrodeposition Cu nanowire array |
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