| 多阳极光电倍增管前端四通道放大读出芯片设计 |
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| 引用本文： | 王科,刘振安,王铮,李道武.多阳极光电倍增管前端四通道放大读出芯片设计[J].核电子学与探测技术,2010,30(5). |
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| 作者姓名： | 王科 刘振安 王铮 李道武 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院高能物理研究所,实验物理中心,北京100049
2. 中国科学院高能物理研究所多学科研究中心,北京,100049 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 多阳极光电倍增管目前应用广泛,其后续的常规PCB放大电路显示出体积大、功耗大、噪声高等缺点,制作专用集成电路ASIC可以解决这些问题。基于此类光电倍增管特性,在0.35μm CMOS工艺上,研制了4通道集成放大成形读出电路,包含前放、增益调整、滤波成形等模块。经过测试,功耗为66 mW;增益为62.2 mV/pC,输入动态范围13 pC,线性度1.5%,信噪比9,指标达到设计要求。
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| 关 键 词： | 多阳极光电倍增管 调整型共源共栅 多通道 前置放大器 |
4-Channel Readout ASIC for MaPMT |
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| WANG Ke,LIU Zhen-an,WANG Zheng,LI Dao-wu.4-Channel Readout ASIC for MaPMT[J].Nuclear Electronics & Detection Technology,2010,30(5). |
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| Authors: | WANG Ke LIU Zhen-an WANG Zheng LI Dao-wu |
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