| 辐照后4H-SiC带电粒子探测器的特性研究 |
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| 引用本文： | 韩冲,崔兴柱,梁晓华,梁红伟,夏晓川,杨存,叶鑫,唐吉龙,王登魁,魏志鹏.辐照后4H-SiC带电粒子探测器的特性研究[J].核技术,2019,42(5). |
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| 作者姓名： | 韩冲 崔兴柱 梁晓华 梁红伟 夏晓川 杨存 叶鑫 唐吉龙 王登魁 魏志鹏 |
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| 作者单位： | 长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室 长春 130022;中国科学院高能物理研究所 粒子天体物理重点实验室 北京 100049);中国科学院高能物理研究所 核探测与核电子学国家重点实验室 北京 100049;中国科学院高能物理研究所 粒子天体物理重点实验室 北京 100049;中国科学院高能物理研究所 粒子天体物理重点实验室 北京 100049;中国科学院高能物理研究所 核探测与核电子学国家重点实验室 北京 100049;大连理工大学 微电子学院 大连 116024;长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室 长春 130022 |
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| 摘 要： | 碳化硅材料因其禁带宽度大、晶体原子离位能高等物理特性,被视为制作耐高温、抗辐射器件极具代表性的宽带隙半导体材料。为观察辐照对4H-SiC肖特基二极管带电粒子探测器的电学特性及对α粒子响应的能量分辨率的影响。利用60Co源的γ射线对4H-SiC肖特基二极管探测器进行辐照实验。经过总剂量为1 000 kGy的γ射线辐照后,探测器的正向电流相较于辐照前减小了三个数量级;反向电流值在0～120 V偏压下没有明显变化,当反向偏压高于120 V时,反向电流值变化明显。同时,辐照前后对α粒子的能量分辨率没有明显变化。
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| 关 键 词： | 4H-SiC 肖特基二极管 γ射线 探测器 电学特性 能量分辨率 |
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