| 用正电子湮没技术研究深低温下Al—Li—Cu—Mg—Zr合金中的缺陷和电子密度 |
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| 引用本文： | 吴伟明,高英俊,邓文,许少杰,冯冠之,钟夏平,蒋晓军.用正电子湮没技术研究深低温下Al—Li—Cu—Mg—Zr合金中的缺陷和电子密度[J].核技术,1996(3). |
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| 作者姓名： | 吴伟明 高英俊 邓文 许少杰 冯冠之 钟夏平 蒋晓军 |
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| 作者单位： | 广西大学，中国科学院金属研究所 |
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| 摘 要： | 测量了欠时效和峰值时效的Ａｌ—Ｌｉ—Ｃｕ—Ｍｇ－Ｚｒ合金从深低温到室温升温过程的正电子湮没寿命谱．对ｅ＋寿命谱特征参数的分析表明．两种样品中的缺陷在升温过程中的运动规律是相似的。但峰值时效样品比欠时效样品回复缺陷的量更多；缺陷的平均开空间更大．而且随着δ＇（Ａｌ３Ｌｉ）相粒子的长大，样品基体中自由电子密度提高，增加了合金基体的强度．
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| 关 键 词： | 正电子寿命谱，Al－Li－Cu－Mg－Zr合金，深低温，缺陷，体电子密度 |
PAT study of defect and electron density in Al-Li-Cu-Mg-Zr alloy under cryogenic temperature |
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| Wu Weiming, Gao Yingjun, Deng Wen, Xu Shaojie, Feng Guanzhi, Zhong Xiaping.PAT study of defect and electron density in Al-Li-Cu-Mg-Zr alloy under cryogenic temperature[J].Nuclear Techniques,1996(3). |
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| Authors: | Wu Weiming Gao Yingjun Deng Wen Xu Shaojie Feng Guanzhi Zhong Xiaping |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Positron lifetime spectra Al-Li-Cu-Mg-Zr alloy Cryogenic temperature Defects Bulk electron density |
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