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| p／i界面的缓变层对大面积（2790cm^2）a—Si：H太阳电池性能影响的研究 | |
| 引用本文： | 于化丛,杨红.p／i界面的缓变层对大面积（2790cm^2）a—Si：H太阳电池性能影响的研究[J].太阳能学报,1997,18(4):421-426. |
| 作者姓名： | 于化丛 杨红 |
| 作者单位： | [1]哈尔滨－克罗拉太阳能电力公司 [2]西安法乐电子公司 |
| 摘 要： | 报道了在大面积（２７９０ｃｍ２）ｐ－ｉ－ｎ型ａ－Ｓｉ∶Ｈ异质结太阳电池ｐ／ｉ界面之间引入缓变层（ＣＧＬ∶Ｃ，ＣＧＬ∶Ｂ∶Ｃ）对电池性能影响的研究结果。实验发现，带有ＣＧＬ∶Ｃ的ａ－Ｓｉ∶Ｈ太阳电池性能的改善主要来源于开路电压的提高，带有ＣＧＬ∶Ｂ∶Ｃ的ａ－Ｓｉ∶Ｈ太阳电池性能的提高主要来源于填充因子ＦＦ的增加。提出了带有缓变层ａ－Ｓｉ∶Ｈ电池的能带模型，据此分析了ｐ／ｉ结附近载流子的复合动力学过程，从理论上解释了实验中所发现的现象。 |
| 关 键 词： | 界面 缓变层 非晶硅 太阳电池 |
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