| TC4合金渗硼层TiB和TiB_2价电子结构与渗层硬化 |
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| 引用本文： | 刘海平,刘伟东,屈 华,刘斯琦.TC4合金渗硼层TiB和TiB_2价电子结构与渗层硬化[J].稀有金属材料与工程,2015,44(5):1139-1143. |
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| 作者姓名： | 刘海平 刘伟东 屈 华 刘斯琦 |
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| 作者单位： | 辽宁工业大学，辽宁 锦州 121001 |
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| 基金项目： | 辽宁省高等学校杰出青年学者成长计划（LJQ2011063）；辽宁省教育厅高校汽车材料与工程重点实验室支持计划（LS2010082） |
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| 摘 要： | 计算了TiB与TiB2的价电子结构,研究了TiB、TiB2的价电子结构与TC4合金渗硼层硬化的关系。研究发现:TC4合金渗硼层的TiB2和TiB相中B-B原子键合力最强,且远大于合金基体组成原子的键合力;TiB2相最强共价键的共价电子对数nTiB2为A 0.5554,TiB相最强共价键的共价电子对数nTiB A为0.4042,因此TiB2相对基体的硬化作用更强;TiB2相的原子状态组数σN为123,而TiB相的原子状态组数σN为19,所以TiB2相的稳定性更高;由相成键能力F的计算可知,从热力学角度看,渗层中TiB应比TiB2多;共价键空间分布决定了TiB晶体易沿010]晶向生长成短纤维状,而TiB2相易于生成高对称性的粒状或球状,故TiB2比TiB更有利于硬化基体。
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| 关 键 词： | TC4合金 渗硼层 TiB TiB2 价电子结构 硬化 |
| 收稿时间： | 2014/5/13 0:00:00 |
Valence Electron Structures of TiB and TiB2 and Hardening on Boronizing Layer of TC4 Alloy |
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| Liu Haiping,Liu Weidong,Qu Hua and Liu Siqi.Valence Electron Structures of TiB and TiB2 and Hardening on Boronizing Layer of TC4 Alloy[J].Rare Metal Materials and Engineering,2015,44(5):1139-1143. |
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| Authors: | Liu Haiping Liu Weidong Qu Hua and Liu Siqi |
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| Affiliation: | Liaoning University of Technology, Jinzhou 121001, China |
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| Keywords: | TC4 alloy boronizing layer TiB TiB2 valence electron structure hardening |
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