| 氮氩流量比对磁控溅射TiN薄膜生长织构的影响 |
| |
| 引用本文： | 田颖萍,范洪远,成靖文.氮氩流量比对磁控溅射TiN薄膜生长织构的影响[J].表面技术,2012,41(3):19-21，25. |
| |
| 作者姓名： | 田颖萍 范洪远 成靖文 |
| |
| 作者单位： | 四川大学制造科学与工程学院,成都,610065;四川大学制造科学与工程学院,成都,610065;四川大学制造科学与工程学院,成都,610065 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目，科技人员服务企业行动项目 |
| |
| 摘 要： | 采用直流反应磁控溅射法,通过控制氮氩流量比,在Si(111)衬底上沉积了TiN薄膜,并用织构系数来量化TiN薄膜的生长取向。对TiN薄膜的织构、物相组成、形貌进行表征,分析了溅射沉积过程中氮氩流量比对TiN薄膜生长织构的影响,同时还分析了不同织构薄膜的表面及截面形貌。结果表明:氮氩流量比低于1∶30时,薄膜的织构由(200)转变为(111),同时还出现了TiN0.61相;(111)织构的薄膜表面均匀,致密性好,粗糙度小,以氮氩流量比为1∶60时所得织构系数为1.63的(111)薄膜最好。
|
| 关 键 词： | 氮氩气压比 氮化钛薄膜 织构 磁控溅射 |
| 收稿时间： | 2011/12/31 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2012/6/20 0:00:00 |
Effect of N2/Ar Flow Ratio on Orientation of TiN Thin Films |
| |
| TIAN Ying-ping,FAN Hong-yuan and CHENG Jing-wen.Effect of N2/Ar Flow Ratio on Orientation of TiN Thin Films[J].Surface Technology,2012,41(3):19-21，25. |
| |
| Authors: | TIAN Ying-ping FAN Hong-yuan and CHENG Jing-wen |
| |
| Affiliation: | (Department of Manufacturing Science and Engineering,Sichuan University,Chengdu 610065,China) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | N2/Ar air pressure TiN thin films orientation magnetron sputtering |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《表面技术》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《表面技术》下载全文 |
|
