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| 水平磁场作用下单晶硅生长的计算机仿真 | |
| 引用本文： | 杨淑琴,杨海珍.水平磁场作用下单晶硅生长的计算机仿真[J].铸造技术,2014(5):1039-1041. |
| 作者姓名： | 杨淑琴 杨海珍 |
| 作者单位： | 张家口学院; |
| 摘 要： | 采用计算机仿真技术研究了水平磁场作用下单晶硅的生长行为。结果表明,晶体旋转速度的增加对固-液界面形状的非对称性起到了一定的改善作用,也使得固-液界面向晶体侧推移。坩埚旋转速度的增加对熔体内温度分布起到改善作用,使得温度分布逐渐呈现出轴向均匀性。 |
| 关 键 词： | 单晶硅 水平磁场 温度场 |
Simulation on Growth of Single Crystal Silicon in Horizontal Magnetic Field |
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