| 磁控溅射制备In2O3-SnO2薄膜与分析 |
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| 引用本文： | 李世涛,乔学亮,陈建国.磁控溅射制备In2O3-SnO2薄膜与分析[J].中国有色金属学报,2005,15(8):1214-1218. |
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| 作者姓名： | 李世涛 乔学亮 陈建国 |
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| 作者单位： | 李世涛（华中科技大学,模具技术国家重点实验室,武汉,430074）
乔学亮（华中科技大学,模具技术国家重点实验室,武汉,430074）
陈建国（华中科技大学,模具技术国家重点实验室,武汉,430074） |
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| 基金项目： | 华中科技大学优秀博士生论文基金资助项目（2004-39）;国防预研跨行业基金资助项目（51410020401JW0504） |
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| 摘 要： | 选择In2LO3与SnO2质量比11的靶材为溅射源,采用磁控溅射法沉积了ITO薄膜,讨论了溅射氩气压强、氧流量、基体温度对薄膜透射率和方阻的影响,深入分析了其机理.研究结果表明溅射时采用低Ar压强更有利于降低ITO薄膜的电阻率,并确定最佳氩气压强为0.2 Pa,厚度为120 nm的ITO薄膜在可见光区的透过率可达到90%;氧流量能明显改变薄膜的性能,随着氧流量从0增加10 L/min(标准状态下,下同),载流子浓度(N)则由3.2×1020降低到1.2×1019/cm3,N值的变化与ITO薄膜光学禁带宽度(Eg)的变化密切相关.振子模型与实验结果吻合,并确定了ITO薄膜的等离子波长(λp=1 510 nm).薄膜随方阻减小表现出明显的"B-M"效应.通过线性外推,建立了直接跃迁的(αE)2模型,并确定了薄膜的Eg值(3.5～3.86 eV).
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| 关 键 词： | ITO薄膜 磁控溅射 氧流量 “BM”效应 |
| 文章编号： | 1004-0609（2005）08-1214-05 |
| 收稿时间： | 2005-01-27 |
| 修稿时间： | 2005-05-05 |
Preparation and analysis of In2O3-SnO2 thin films deposited by magnetic sputtering |
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| LI Shi-tao,QIAO Xue-liang,CHEN Jian-guo.Preparation and analysis of In2O3-SnO2 thin films deposited by magnetic sputtering[J].The Chinese Journal of Nonferrous Metals,2005,15(8):1214-1218. |
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| Authors: | LI Shi-tao QIAO Xue-liang CHEN Jian-guo |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ITO thin films magnetic sputtering oxygen flow rate "Burstin-Moss" effect |
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