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氢氧化镍电极材料的层错结构表征
引用本文:王超群,王宁,李娜娜,张久兴.氢氧化镍电极材料的层错结构表征[J].中国有色金属学报,2002,12(3):496-500.
作者姓名:王超群  王宁  李娜娜  张久兴
作者单位:1. 北京有色金属研究总院,北京,100088
2. 北京工业大学,材料科,学与工程学院,北京,100022
3. 中南大学,材料科学与工程系,长沙,410083
基金项目:国家自然科学基金资助项目(598720 06)
摘    要:根据氢氧化镍电极材料的X射线衍射谱线的各向异性宽化特性 ,提出层错结构表征方法。采用层错宽化效应的Warren法和Langford谱分解法 ,测算了一些镍电极材料的层错率。结果发现层错率与材料的放电容量存在对应关系 ,放电容量较高 (2 70mA·h/g)的材料层错率达 14.9% ,而放电容量较低 (2 0 7mA·h/ g)的材料层错率为 7.6 %。因此可以用层错率表征氢氧化镍电极材料的电化学性能

关 键 词:氢氧化镍  电极材料  层错率  放电容量
文章编号:1004-0609(2002)03-0496-05
修稿时间:2001年7月2日

Structural characterization of stacking faults for nickel hydroxide
WANG Chao-qun ,WANG Ning ,LI Na-na ,ZHANG Jiu-xing.Structural characterization of stacking faults for nickel hydroxide[J].The Chinese Journal of Nonferrous Metals,2002,12(3):496-500.
Authors:WANG Chao-qun  WANG Ning  LI Na-na  ZHANG Jiu-xing
Affiliation:WANG Chao-qun 1,WANG Ning 2,LI Na-na 3,ZHANG Jiu-xing 2
Abstract:
Keywords:nickel hydroxide  electrode material  stacking fault  discharge capacity
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