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a—Si/CIS叠层太阳能电池的光诱导性能衰退和稳定性分析
引用本文:林鸿生,马雷.a—Si/CIS叠层太阳能电池的光诱导性能衰退和稳定性分析[J].真空科学与技术,2002,22(1):33-36.
作者姓名:林鸿生  马雷
作者单位:中国科学技术大学物理系,合肥230026
摘    要:基于pin结构a-Si:H太阳能电池中的空间电荷效应,讨论a-Si/CIS叠层太阳能电池的稳定性。结果表明,光生空穴俘获造成的a-Si:H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布,普遍抬高a-Si:H薄膜中电场强度。在光照射下,空间电荷效应不会给a-Si/CIS叠层结构中的a-Si:H薄膜带来准中性区(低场“死层”),因而没有发生a-Si/CIS叠层太阳能电池顶电池(p-i-n a-Si:H)的光诱导性能衰退,a-Si/CIS叠层结构太阳能电池具有较高的光稳定性。

关 键 词:光诱导性能衰退  a-Si:H隙态密度分布  Newton-Raphson解法  稳定性  a-Si:H太阳能电池  硅太阳能电池
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