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| 硼轻掺杂对a—Si：H光电导层性能影响的研究 | |
| 引用本文： | 钱祥忠.硼轻掺杂对a—Si：H光电导层性能影响的研究[J].真空科学与技术,2001,21(3):254-257. |
| 作者姓名： | 钱祥忠 |
| 作者单位： | 电子科技大学光电子技术系，成都610054；淮南工业学院数理系，淮南232001 |
| 摘 要： | 用等离子体增强化学气相沉积法制备了厚为1um左右的B轻掺杂a-Si:H光电导层，得到了a-Si:H的暗电导率先减小后增大，并可发生几个数量级的变化，光电导率减小，折射率略有降低，线性吸收系数显增大，光学带隙减小，测量的数据表明，我们制备的B轻掺杂a-Si:H光电导层满足投影机用液晶光阀的要求。 |
| 关 键 词： | 硼轻掺杂 光导层 掺杂比 等离子体增强化学气相沉积 硅氢薄膜 投影机 液晶光阀 非晶半导体 |
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