| 补偿型共掺杂ZnS电子特性的第一性原理计算 |
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| 引用本文： | 王晓伟,乔士柱,李淑青,胡慧芳.补偿型共掺杂ZnS电子特性的第一性原理计算[J].材料导报,2018,32(Z1):506-511. |
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| 作者姓名： | 王晓伟 乔士柱 李淑青 胡慧芳 |
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| 作者单位： | 太原工业学院理学系;湖南大学微纳光电器件及应用教育部重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(11647034)；院级重点科学基金(2015LZ03) 王晓伟:1987年生,硕士,研究方向为纳米材料及器件 E-mail:kuaile_wxw@163.com |
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| 摘 要： | 基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,对ZnS(Cu,Cl、Br、I)共掺杂体系的晶格结构和电子性质进行了研究。结果表明,相对于单掺杂ZnS体系,补偿型的共掺ZnS体系形成能更低,更有利于提高可见光的催化效率,且由于p-d电子排斥效应使价带向高能方向展宽,而Cu的3p态与非金属原子的杂质态使导带底下移,从而使共掺杂ZnS体系的能带带隙变窄,尤其是CuZnBrS-ZnS带隙值减少了30%,从而延伸吸收边界到可见光区域。且CuZnBrS-ZnS中m*e/m*h相对较大,降低了电子-空穴对重组率,提高了量子效率。最后对补偿型共掺ZnS电子结构进行了讨论。
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| 关 键 词： | 补偿型共掺杂ZnS 电子性质 密度泛函理论 第一性原理 |
First Principle Study of Electronic Properties of Compensational Codoped ZnS |
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| WANG Xiaowei,QIAO Shizhu,LI Shuqing and HU Huifang.First Principle Study of Electronic Properties of Compensational Codoped ZnS[J].Materials Review,2018,32(Z1):506-511. |
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| Authors: | WANG Xiaowei QIAO Shizhu LI Shuqing and HU Huifang |
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| Affiliation: | Department of Science, Taiyuan Institute of Technology, Taiyuan 030008,Department of Science, Taiyuan Institute of Technology, Taiyuan 030008,Department of Science, Taiyuan Institute of Technology, Taiyuan 030008 and College of Physics and Microelectronics Science, Hunan University, Changsha 410082 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | compensational codoping of ZnS electronic properties density functional theory first principle theory |
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