| 锰掺杂氧化铜稀磁半导体薄膜的微结构和磁性 |
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| 引用本文： | 赵凡,张亚萍,潘礼庆,HAO Zhu,邱红梅,赵雪丹,John Q. Xiao.锰掺杂氧化铜稀磁半导体薄膜的微结构和磁性[J].材料导报,2007,21(12):115-117. |
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| 作者姓名： | 赵凡 张亚萍 潘礼庆 HAO Zhu 邱红梅 赵雪丹 John Q. Xiao |
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| 作者单位： | 1. 北京科技大学物理系,北京,100083
2. Department of Physics and Astronomy,University of Delaware,Newark,DE 19716,USA |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（50472092;50672008）;教育部博士点专项科研基金（20050008028） |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射制备Mn掺杂CuO薄膜样品。X射线衍射结果说明薄膜样品为单相结构且沿（111）取向生长。通过样品的XRD精修得到样品的结构和晶格参数，掺杂后薄膜晶体结构有微小畸变。薄膜的高分辨透射电镜研究证明了对结构和晶粒大小等的精修结果，且同时说明Mn以替代Cu的形式掺入了CuO晶格中。通过对样品M1T曲线的分析，得到样品的居里温度为96．5K，近邻Mn离子之间的耦合为铁磁性，并由居里外斯拟合得到Mn离子的有效磁矩为3．1μa。这说明磁性不是来自于团聚的Mn原子或铜锰的其它氧化物，而很可能来自于替位的锰离子所形成的Mn-O-Cu-O-Mn之间的铁磁性耦合。
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| 关 键 词： | 氧化铜 稀磁半导体 铁磁性机理 掺杂 |
Microstructure and Ferromagnetism of Mn Doped CuO Diluted Magnetic Semiconductor Thin Films |
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| ZHAO Fan,ZHANG Yaping,PAN Liqing,HAO Zhu,QIU Hongmei,ZHAO Xuedan,John Q. Xiao.Microstructure and Ferromagnetism of Mn Doped CuO Diluted Magnetic Semiconductor Thin Films[J].Materials Review,2007,21(12):115-117. |
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| Authors: | ZHAO Fan ZHANG Yaping PAN Liqing HAO Zhu QIU Hongmei ZHAO Xuedan John Q Xiao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | cupric oxide diluted magnetic semiconductors ferromagnetic mechanism doping |
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