| 过渡金属掺杂ZnO稀磁半导体的发光特性 |
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| 引用本文： | 徐明,胡志刚,吴艳南,周海平,徐禄祥,周勋.过渡金属掺杂ZnO稀磁半导体的发光特性[J].材料导报,2010,24(19). |
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| 作者姓名： | 徐明 胡志刚 吴艳南 周海平 徐禄祥 周勋 |
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| 作者单位： | 四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所,成都,610068;贵州师范大学物理与电子科学学院,贵阳,550001 |
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| 基金项目： | 四川省教育厅基金，贵州省科学技术基金 |
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| 摘 要： | ZnO是一种宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体,具有良好的光电耦合特性和稳定性,在光、电、磁功能集成等新型器件方面可获得重要应用.近来的研究表明,过渡金属掺杂的ZnO基半导体有望成为实现高居里温度稀磁半导体的候选材料,是目前研究的热点.总结了近几年人们在Fe、Co、Ni、Cu、Mn等过渡金属掺杂的ZnO基稀磁半导体的发光特性研究结果,讨论了过渡金属掺杂后ZnO中观察到的可见发光机制,分析认为过渡金属掺杂ZnO的可见光发射主要与这些发光过渡金属引入后所产生的缺陷有关,而紫外发光峰的变化则与过渡金属掺入后ZnO晶体质量与禁带宽度的改变相关.
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| 关 键 词： | ZnO 稀磁半导体 过渡金属 掺杂 发光 |
Luminescent Properties of Transition-metal-doped ZnO Diluted Magnetic Semiconductors |
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| XU Ming,HU Zhigang,WU Yannan,ZHOU Haiping,XU Luxiang,ZHOU Xun.Luminescent Properties of Transition-metal-doped ZnO Diluted Magnetic Semiconductors[J].Materials Review,2010,24(19). |
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| Authors: | XU Ming HU Zhigang WU Yannan ZHOU Haiping XU Luxiang ZHOU Xun |
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