| 以Zn(NH4)3Cl5为输运剂气相生长ZnSe单晶 |
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| 引用本文： | 李焕勇,介万奇.以Zn(NH4)3Cl5为输运剂气相生长ZnSe单晶[J].材料研究学报,2003,17(4):353-358. |
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| 作者姓名： | 李焕勇 介万奇 |
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| 作者单位： | 西北工业大学凝固技术国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家自然科学基金，59982006，59825109，， |
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| 摘 要： | 以化合物Zn(NH4)3Cl5为气相输运剂,ZnSe多晶为原料,用化学气相输运技术(CVT)在封闭石英管中生长出直径9 m m、长度25 mm的Zn1+0 031Se单晶晶体生长区的温度为898～915℃,温度梯度为1.5℃@cm-1,生长周期为21 d.晶体生长端由{111}和{100}单形包围.用RO-XRD技术研究了晶体的结晶质量,ZnSe(111)的RO-XRD谱的FWHM为24 s.光致发光特性研究表明,Zn1+0.031Se单晶体的PL谱由Fx(439 nm)和BBT(418 nm)等发光峰组成,晶体的短波吸收限位于465 nm处,腐蚀点密度为(5～7)×104cm-2.化合物Zn(NH4)3Cl5具有较高的热稳定性,是一种适合气相生长ZnSe单晶的新型输运剂.
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| 关 键 词： | 无机非金属材料 ZnSe体单晶 化学气相输运技术 Zn（NH4）3C15 输运剂 |
| 文章编号： | 1005-3093(2003)04-0353-06 |
| 修稿时间： | 2003年1月13日 |
Vapor growth of high quality ZnSe single crystal |
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| LI Huanyong JIE Wanqi.Vapor growth of high quality ZnSe single crystal[J].Chinese Journal of Materials Research,2003,17(4):353-358. |
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| Authors: | LI Huanyong JIE Wanqi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | inorganic non-metallic materials ZnSe bulk single crystals chemical vaper trans- port(CVT) Zn(NH4)3CI5 transport agent |
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