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气相沉积生长单壁纳米碳管束
引用本文:李峰,戴贵平,白朔,苏革,贺连龙,成会明.气相沉积生长单壁纳米碳管束[J].材料研究学报,2001,15(5):520-524.
作者姓名:李峰  戴贵平  白朔  苏革  贺连龙  成会明
作者单位:1. 中国科学院金属研究所
2. 中国科学院金属研究所;中国科学院固体原子像实验室
3. 中国科学院金属研究所,沈阳市,110016
基金项目:国家自然科学基金资助项目59872045.
摘    要:采用流动催化热解碳氢化合物方法制备出具有一定取向的单壁纳米碳管束。研究了单壁纳米碳管束的生长过程,发现单壁纳米碳管的生长过程是在气流飘浮单个催化剂颗粒中完成。这与热解碳氢化合物制备定向的多壁纳米碳管在基体催化上生长过程有所不同。根据单壁纳米碳管生长过程,推测出单壁纳米碳管束生长速度的数量级为10^-5m/s。

关 键 词:单壁纳米碳管束  生长机理  气相沉积  碳氢化合物  催化热解
文章编号:1005-3093(2001)05-0520-05
修稿时间:2000年7月3日

VAPOR GROWTH OF SINGLE-WALLED CARBON NANOTUBE BUNDLES
LI Feng,DAI Guiping,BAI Shuo,SU Ge,HE Lianlong,CHENG Huiming.VAPOR GROWTH OF SINGLE-WALLED CARBON NANOTUBE BUNDLES[J].Chinese Journal of Materials Research,2001,15(5):520-524.
Authors:LI Feng  DAI Guiping  BAI Shuo  SU Ge  HE Lianlong  CHENG Huiming
Abstract:The process of growth aligned single waIled carbon nanotube (SWNT) bundles was explored by the experiment. The resuIt shows that SWNT bundles grow on single floating catalysts particles in the gas in the preparation process. This growth process is different from that of muIti--waIled carbon nanotubes (MWNT), in which the catalySts was scattered on the substrate befOre the growth, The catalyst could not move during growth process. The growth rate was estimated based on the growth process of SWNT bundles, which reach 10-5m/s.
Keywords:single walled carbon nanotube  vapor growth  growth mechanism
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