| 低碳含量a-Si_(1-x)C_x∶H薄膜的Raman和荧光特性 |
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| 引用本文： | 王燕,岳瑞峰.低碳含量a-Si_(1-x)C_x∶H薄膜的Raman和荧光特性[J].真空科学与技术学报,2001(2). |
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| 作者姓名： | 王燕 岳瑞峰 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所!北京100084 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金青年基金资助项目! (5 970 2 0 0 5 ) |
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| 摘 要： | 采用Raman和荧光测量研究了低碳含量a Si1-xCx∶H(x≤ 2 0 % (原子比 ) )薄膜的结构特征 ,并选用两种不同波长的激光来激发这些材料。采用 6 47.1nm光激发时 ,由于激发光能量接近于各样品的光学带隙 ,因而在样品中具有较大的透射深度 ,而 488 0nm光激发时则被样品表面强烈吸收。探测深度的变化造成了Raman谱和荧光谱有较大的差异 ,这些结果一方面表明样品的表面存在一层高浓度的缺陷层 ,同时也证明样品体内存在着带隙的空间起伏 ,这两种空间的不均性造成了高能激发时Raman谱的TO模频率和半高宽比低能激发时有大的红移和展宽 ,而荧光峰和半高宽则有小的蓝移和展宽。以上结果表明在a Si1-xCx∶H样品中 ,Raman与荧光测量结果受激发波长的影响比较明显
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| 关 键 词： | aSi1-xCx∶H薄膜 Raman谱 荧光测量 |
Raman and Photoluminescence Characterization of Hydrogenated Amorphous Silicon Carbide Alloys with Low Carbon Concentrations |
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| Wang Yan,Yue Ruifeng.Raman and Photoluminescence Characterization of Hydrogenated Amorphous Silicon Carbide Alloys with Low Carbon Concentrations[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2001(2). |
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| Authors: | Wang Yan Yue Ruifeng |
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