| 硒化温度对CuInSe2薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 丁晓峰,韩东麟,张弓,庄大明.硒化温度对CuInSe2薄膜性能的影响[J].真空科学与技术学报,2006,26(Z1):32-35. |
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| 作者姓名： | 丁晓峰 韩东麟 张弓 庄大明 |
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| 作者单位： | 清华大学机械工程系,北京,100084 |
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| 基金项目： | 面向21世纪教育振兴行动计划(985计划) |
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| 摘 要： | 采用中频交流磁控溅射方法沉积Cu-In薄膜,并采用固态源硒化方法制备CuInSe2(CIS)薄膜,考察了硒化温度对CIS薄膜性能的影响.采用SEM和EDS观察和分析了它们的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构,采用霍尔测试仪测量了薄膜的载流子浓度和霍尔迁移率.结果表明,Cu-In薄膜由In和Cu11In9两相组成,在不同的硒化温度下制备的CIS薄膜,均具有单一的黄铜矿CuInSe2相结构.随着硒化温度的升高,CIS薄膜的晶粒直径增大,当硒化温度达到550℃时,晶粒直径已接近于2 μm.硒化温度继续升高,晶粒之间出现孔洞和缝隙等缺陷.530℃的硒化温度下制得的弱p型CIS薄膜,最符合CuInSe2的化学计量比,最适于制备太阳能电池吸收层.
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| 关 键 词： | CuiNSe2 薄膜 太阳能电池 固态源硒化 磁控溅射 硒化温度 |
| 文章编号： | 1672-7126(2006)增-0032-04 |
| 修稿时间： | 2005年9月1日 |
Selenization Temperature and Properties of CuInSe2 Films |
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| Ding Xiaofeng,Han Donglin,Zhang Gong,Zhuang Daming.Selenization Temperature and Properties of CuInSe2 Films[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2006,26(Z1):32-35. |
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| Authors: | Ding Xiaofeng Han Donglin Zhang Gong Zhuang Daming |
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