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| ZnO薄膜的制备和结构性能分析 | |
| 引用本文： | 贺永宁,朱长纯,侯洵,张景文,杨晓东,徐庆安,曾凡光.ZnO薄膜的制备和结构性能分析[J].真空科学与技术学报,2004,24(6):420-423. |
| 作者姓名： | 贺永宁 朱长纯 侯洵 张景文 杨晓东 徐庆安 曾凡光 |
| 作者单位： | 1. 西安交通大学陕西省重点实验室信息光子实验室,西安,710049 2. 西安交通大学陕西省重点实验室信息光子实验室,西安,710049;中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室,西安,710068;河南大学物理与信息光电子学院,开封,475001 3. 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室,西安,710068 |
| 基金项目： | 教育部行动计划重大项目，国家"211"工程建设项目 |
| 摘 要： | ZnO作为一种宽带隙半导体材料,近几年来已经成为国际上紫外半导体光电子材料和器件领域的研究热点.激光分子束外延(L-MBE)系统是获得器件级ZnO外延薄膜的先进技术之一.高质量精密ZnO陶瓷靶材对于该工艺的实施是十分关键的,本文中采用高纯原料,在洁净条件下制备了大面积、薄片型、尺寸可控的符合理想化学配比的高纯ZnO陶瓷靶材.采用所制备的靶材,利用L-MBE技术在(0001)蓝宝石基片上进行了ZnO薄膜的外延生长,在280 ℃～300 ℃低温条件下所生长的薄膜样品具有(0001)取向的纤锌矿晶体结构,薄膜光学性能良好,论文中对ZnO薄膜的低温L-MBE生长机理进行了探讨. |
| 关 键 词： | 微电子学 ZnO薄膜 激光分子束外延工艺 ZnO陶瓷靶材 |
| 文章编号： | 1672-7126(2004)06-0420-04 |
| 修稿时间： | 2004年3月1日 |
Growth and Characterization of ZnO Films by Laser Molecular Beam Epitaxy |
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| He Yongning ,Zhu Changchun,Hou Xun ,,Zhang Jingwen,Yang Xi aodong,Xu Qing'an and Zeng Fanguang.Growth and Characterization of ZnO Films by Laser Molecular Beam Epitaxy[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2004,24(6):420-423. | |
| Authors: | He Yongning Zhu Changchun Hou Xun Zhang Jingwen Yang Xi aodong Xu Qing'an and Zeng Fanguang |
| Affiliation: | He Yongning 1*,Zhu Changchun1,Hou Xun 1,2,3,Zhang Jingwen1,Yang Xi aodong2,Xu Qing'an2 and Zeng Fanguang1 |
| Abstract: | High quality ZnO films have been successfully grown on (0001) sapphire substrate at low temperatures by laser molecular beam epitaxy(L-MBE).The ZnO ceramic ta rget with a purity better than 99.99%,prepared in the clean envircnment),was abl ated by KrF laser in ultra high vacuum.The as-grown film,characterized with X- ray diffraction (XRD),shows highly C-axis orientated wurzite structure.High transmi ttance at the absorption edge was also observed.L-MBE growth mechanism(s) of th e ZnO film was tentatively discussed. |
| Keywords: | Microelectronics ZnO thin film L-MBE growth process ZnO ceramic target |
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