| PZT/Si薄膜的扩散反应研究 |
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| 引用本文： | 朱永法,曹立礼,阎培渝,李龙土,张孝文.PZT/Si薄膜的扩散反应研究[J].真空科学与技术学报,1996(1). |
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| 作者姓名： | 朱永法 曹立礼 阎培渝 李龙土 张孝文 |
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| 作者单位： | 清华大学化学系!北京100084(朱永法，曹立礼)，清华大学材料科学与工程系!北京100084(阎培渝，李龙土，张孝文) |
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| 摘 要： | 运用XPS和AES研究了PZT薄膜／Si在热处理过程中的薄膜及界面化学反应：在热处理过程中，气氛中的氧气通过PZT的缺陷通道扩散到PZT／Si界面上，并与界面上的硅发生氧化反应形成SiO2界面层。同时基底上的硅通过PZT的缺陷扩散到样品表面形成SiO2表面层。此外，在PZT／Si界面上，Ti的氧化物和Si发生还原反应，形成了TISix金属硅化物，并残留在PZT膜层和SiO2界面层中。在PZT膜层内，有机结碳和钛的氧化物发生还原反应形成了TiCx物种，并存在于PZT膜层中。
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| 关 键 词： | 固态反应 界面反应 锆钛酸铅 薄膜 |
A STUDY OF DIFFUSION REACTION OF PZT/Si FILM |
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| Zhu Yongfa,Cao Lili.A STUDY OF DIFFUSION REACTION OF PZT/Si FILM[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,1996(1). |
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| Authors: | Zhu Yongfa Cao Lili |
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| Abstract: | The mechanism of diffusion reaction of PZT/Si film during thermal treatment has been studied by XPS and AES. The results have shown that oxygen in air can diffuse to the interface of PZT film/Siand react with si1icon substrate to form SiO, interface layer. In the same time,the substrate silicon can alsodiffuse to the surface of PZT film and react with oxygen and Tio, to form SiO, and TiSi. species. The migra tion of Si in PZT layer can curb the crystallization of PZT film. There are many solid reactions in PZT film during thermal treatment. Organic carbon can reduce TiO2 and form TiCx species. |
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| Keywords: | Solid state reaction Interface reaction PZT Film |
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