| 辉光弧光协同共放电方式制备TiN薄膜的研究 |
| |
| 引用本文： | 林晶,傅鹏飞,钱锋,刘壮.辉光弧光协同共放电方式制备TiN薄膜的研究[J].真空科学与技术学报,2013,33(8). |
| |
| 作者姓名： | 林晶 傅鹏飞 钱锋 刘壮 |
| |
| 作者单位： | 1. 哈尔滨商业大学包装科学与印刷技术工程实验室 哈尔滨150028
2. 深圳市天星达真空镀膜设备有限公司 深圳518116 |
| |
| 基金项目： | 黑龙江省自然科学基金项目，深圳市科技研发资金 |
| |
| 摘 要： | 分别采用中频磁控溅射、电弧离子镀及辉光弧光协同共放电混合镀(APSCD)三种方式在碳钢基体上制备TiN薄膜,采用原子力学显微镜、显微硬度计、台阶膜厚仪、电化学技术对薄膜表面形貌、显微硬度、膜厚、耐腐蚀性进行测试.研究结果表明:多弧离子镀薄膜颗粒的平均粗糙度为7.066 nm,混合镀薄膜颗粒的平均粗糙度为4.687 nm,在相同时间条件下,磁控溅射薄膜厚度为658 nm,混合镀膜厚度为1345 nm,混合镀工艺具有降低多弧离子镀粗糙度又可以克服磁控溅射沉积速率慢的优点.经过混合镀TiN薄膜后,基体表面显微硬度从226HV提高到1238 HV,在天然海水中测得混合镀膜层腐蚀电位比基体提高104 mV.
|
| 关 键 词： | TiN薄膜 磁控溅射 多弧离子镀 腐蚀 |
Study of the TiN Film Plated by Arc Discharge and Glow Cement Deposition(APSCD) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | TiN film Magnetron sputtering Arc ion plating APSCD Corrosion |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
