GaAs光阴极制备装置的超高真空系统研制 |
| |
引用本文: | 李小平,彭晓华,张铜,王光伟,郭盘林,蒋迪奎.GaAs光阴极制备装置的超高真空系统研制[J].真空科学与技术学报,2014(11):1155-1159. |
| |
作者姓名: | 李小平 彭晓华 张铜 王光伟 郭盘林 蒋迪奎 |
| |
作者单位: | 中国科学院高能物理研究所;上海三井真空设备有限公司 |
| |
摘 要: | 研制了一套由导入室、制备室和储藏室组成的三室Load-Lock超高真空GaAs光阴极制备装置,用于中国科学院高能物理研究所自主研制的500 kV光阴极直流高压电子枪系统。在本装置中,采用溅射离子泵和非蒸散型吸气剂泵的复合方式来获取超高真空,并通过磁力杆完成光阴极在各个真空室之间的传送和取放。真空测试结果显示,用钛金属材料制作的储藏室的极限真空达到3.1×10-10Pa,用不锈钢316L材料制作的制备室和导入室的极限真空分别达到4×10-9Pa和3.6×10-8Pa,三个真空室的真空指标优于设计要求。
|
关 键 词: | 电子枪 GaAs光阴极 超高真空 |
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
|