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GaAs光阴极制备装置的超高真空系统研制
引用本文:李小平,彭晓华,张铜,王光伟,郭盘林,蒋迪奎.GaAs光阴极制备装置的超高真空系统研制[J].真空科学与技术学报,2014(11):1155-1159.
作者姓名:李小平  彭晓华  张铜  王光伟  郭盘林  蒋迪奎
作者单位:中国科学院高能物理研究所;上海三井真空设备有限公司
摘    要:研制了一套由导入室、制备室和储藏室组成的三室Load-Lock超高真空GaAs光阴极制备装置,用于中国科学院高能物理研究所自主研制的500 kV光阴极直流高压电子枪系统。在本装置中,采用溅射离子泵和非蒸散型吸气剂泵的复合方式来获取超高真空,并通过磁力杆完成光阴极在各个真空室之间的传送和取放。真空测试结果显示,用钛金属材料制作的储藏室的极限真空达到3.1×10-10Pa,用不锈钢316L材料制作的制备室和导入室的极限真空分别达到4×10-9Pa和3.6×10-8Pa,三个真空室的真空指标优于设计要求。

关 键 词:电子枪  GaAs光阴极  超高真空
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