Au—Si界面的室温反应 |
| |
引用本文: | 黄波,张敬平,邢益荣.Au—Si界面的室温反应[J].真空科学与技术学报,1990(5). |
| |
作者姓名: | 黄波 张敬平 邢益荣 |
| |
作者单位: | 华南师范大学物理系
(黄波),中国科学院半导体研究所表面物理实验室
(张敬平),中国科学院半导体研究所表面物理实验室(邢益荣) |
| |
摘 要: | 利用XPS研究了在超高真空条件下形成的Au—Si(113)界面初始阶段的室温反应,测量了Si2p、2S和Au4f光电子发射峰的强度和能量位置随Au复盖量的变化。所有结果表明,与Au—Si(111)和Au~Si(100)系统一样,存在一个发生界面室温反应的临界Au厚度~5ML。从而推断,这个现象可能是Au—Si界面形成过程的普遍特征。根据实验结果,讨论了Au—Si界面室反应的可能模型。
|
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
|