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旋转圆柱磁控溅射阴极设计和磁场强度分析计算
引用本文:孙智慧,钱锋,樊涛,林晶.旋转圆柱磁控溅射阴极设计和磁场强度分析计算[J].真空,2014(2).
作者姓名:孙智慧  钱锋  樊涛  林晶
作者单位:哈尔滨商业大学包装科学与印刷技术工程实验室;深圳市天星达真空镀膜设备有限公司;
基金项目:黑龙江省自然科学基金(ZD201106);深圳市科技研发资金(JSD201105300103A,CXZZ20120614105631748)
摘    要:磁场分布对旋转圆柱靶磁控溅射阴极的性能起着决定性作用。本文应用ANSYS有限元方法对单个旋转圆柱靶和孪生旋转圆柱靶阴极磁场强度进行了模拟计算,得到的磁场分量Bx、By在靶材表面的二维磁场分布,并利用Bx、By计算得到了圆柱靶表面切线方向的磁场强度Bτ。通过调节磁铁的高度、宽度、磁铁间夹角以及孪生靶间距和靶中心轴旋转角度等参数对磁场分布进行了优化,优化后的圆柱磁控溅射阴极的表面切线方向磁场强度增加了大约40%,所对应的溅射区磁场面积也增大了大约45%。

关 键 词:磁控溅射  旋转圆柱靶  孪生靶  磁场模拟  结构优化
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