| 掺铈硅酸镥(Lu2SiO5:Ce)晶体的生长与闪烁性能 |
| |
| 引用本文： | 任国浩,王绍华,李焕英,陆晟.掺铈硅酸镥(Lu2SiO5:Ce)晶体的生长与闪烁性能[J].无机材料学报,2003,18(2). |
| |
| 作者姓名： | 任国浩 王绍华 李焕英 陆晟 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所中试基地,上海,201800 |
| |
| 摘 要： | 用Czochralsky方法和铱坩埚感应加热技术生长出了尺寸为φ35mm×40mm的掺铈硅酸镥(LSO:Ce)闪烁晶体.透射光谱表明,由于铈离子的掺入,使晶体的吸收边由纯LSO晶体的195nm红移至380nm.LSO:Ce晶体的紫外激发波长按强度递减的顺序依次为380、333、319和216nm,其光发射为带状谱,波长覆盖范围从390nm至560nm.X射线激发的发射谱具有典型的双峰特征,峰值波长为393nm和426nm.这些特征与Ce3+离子基态能级4f1因自旋-轨道耦合而产生的两个分裂能级和Ce3+离子在LSO晶体中占据两个不同的结晶学格位有关.
|
| 关 键 词： | 硅酸镥 光透射 激发 发射 |
Growth and Scintillation Properties of Cerium-doped Lutetium Oxyorthosilicate (Lu2SiO5:Ce) Crystals |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
