| 退火对 a-Si∶H/a-SiN_x∶H 多层膜光致发光和红外吸收谱的影响 |
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| 引用本文： | 王树林,程如光,祁明维,沈学础,唐文国.退火对 a-Si∶H/a-SiN_x∶H 多层膜光致发光和红外吸收谱的影响[J].无机材料学报,1991(4). |
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| 作者姓名： | 王树林 程如光 祁明维 沈学础 唐文国 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所
(王树林，程如光)，中国科学院上海冶金所
(祁明维)，中国科学院上海技术物理研究所
(沈学础)，中国科学院上海技术物理研究所(唐文国) |
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| 摘 要： | 本文报道了经300℃到800℃退火后的氢化非晶硅(a-Si∶H)/氢化非晶氮化硅(a-SiN_x∶H)多层膜77K 的光致发光性能。77K 的光致发光峰值能量随 T_a 增加而减少,其减少速度对几种样品是不同的,由厚度为20(?)的 a-Si∶H 子层组成的多层膜(d_(?)=20(?))要来得慢。当退火温度达到800℃时,d_(?)=20(?)的多层膜仍保留有光致发光特性,而对于 d_(?)=300(?)多层膜和单层 a-Si∶H 膜,当退火到600℃后光致发光特性已消失。文中提出了不同 a-Si∶H 子层厚度的多层膜光致发光特性上的差别是与 a-Si∶H/a-SiN_x∶H 界面氢比体内氢热稳定性来得高有关。后者由多层膜的红外吸收谱与退火温度依赖关系得到证实。
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| 关 键 词： | 多层膜 氢化非晶硅 光致发光 红外吸收谱 界面氢 热稳定性 |
Effect of Annealing on the Photoluminescence and Infrared Spectra of a-Si:H/a-SiN_x:H Multilayers |
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| Wang Shulin Cheng Ruguang.Effect of Annealing on the Photoluminescence and Infrared Spectra of a-Si:H/a-SiN_x:H Multilayers[J].Journal of Inorganic Materials,1991(4). |
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| Authors: | Wang Shulin Cheng Ruguang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Multilayers Hydrogenated amorphous silicon Photoluminescence Infrared absorption spectra Interfacial hydrogen Thermal stability |
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