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钆掺杂钨酸铅闪烁晶体的介电双弛豫峰研究
引用本文:黄红伟,DONG Ming,YE ZuO-Guang,冯锡淇.钆掺杂钨酸铅闪烁晶体的介电双弛豫峰研究[J].无机材料学报,2002,17(1):29-34.
作者姓名:黄红伟  DONG Ming  YE ZuO-Guang  冯锡淇
作者单位:1. 中国科学院无机功能材料开放实验室中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050
2. Dept. of Chemistry, Simon Freaser University, Canada
基金项目:国家自然科学基金(59732040)
摘    要:完成了钆离子(Gd3++)掺杂钨酸铅晶体在40~600℃、1~106Hz范围内介电性能的测量.在升温过程中观察的典型的介电弛豫峰,记为α峰,其激活能为050±0,01eV,频率因子v=1.44×109.而在降温过程中,除α峰外还出现了另一介电弛豫峰,记为β峰,其激活能为 0.51±0.2eV,频率因子V=2.44×106.α峰和 β 峰均可用 Debye方程来描述,而其相对强度呈此消彼长的趋势.分析了Gd:PWO中两种介电弛豫峰的起因及其相互关系,并讨论了它们与PWO晶体闪烁性能变化之间的关系.

关 键 词:介电驰豫  钨酸铅晶体  偶极缺陷    掺杂  介电性能  固体闪烁晶体  闪烁性能
文章编号:1000-324X(2002)01-0029-06
收稿时间:2001-1-9
修稿时间:2001年1月9日

Dielectric Relaxation of Gd Doped PbWO4 Single Crystal
DONG Ming,YE ZuO-Guang.Dielectric Relaxation of Gd Doped PbWO4 Single Crystal[J].Journal of Inorganic Materials,2002,17(1):29-34.
Authors:DONG Ming  YE ZuO-Guang
Affiliation:1.LaboratoryofFunctionalInorganicMaterial;ShanghaiInstituteofCeramic;ChineseAcademyofSciences;Shanghai200050;China;2.Dept.ofChemistry;SimonFreaserUniversity;Canada
Abstract:
Keywords:dielectric relaxation  Gd-doped PbWO4  dipole complexes
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