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应用VMOSFET的匝间耐压试验仪的研制
引用本文:高嵩,庹先国,任家富.应用VMOSFET的匝间耐压试验仪的研制[J].中国测试技术,2004,30(2):12-13,16.
作者姓名:高嵩  庹先国  任家富
作者单位:成都理工大学信息工程学院,成都,610059
摘    要:针对直流电机制造过程中电枢绕组的静态匝间耐压试验,提出了一种应用VMOS场效应管作为放电器件的试验方法,并基于此研制了实用的匝间耐压试验仪。

关 键 词:匝间耐压试验仪  研制  VMOSFET  直流电机  电枢绕组  场效应管
文章编号:1672-4984(2004)02-0012-02

Application research on armature insulation testing apparatus apply to vmosfet
Abstract:
Keywords:
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