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SiO2—Si3N4天线窗材料的介电性能研究
引用本文:姚俊杰,李包顺.SiO2—Si3N4天线窗材料的介电性能研究[J].功能材料与器件学报,1996,2(2):65-70.
作者姓名:姚俊杰  李包顺
摘    要:研究了Si3N4含量和相对密度对Si3N4颗粒增强SiO2复合材料的介电性能的影响。结果表明:在Si3N4含量相同时,随着相对密度的增大,复合材料的介电常数增大,介电损耗减少;在一定的相对密度下,复合材料的介电常数和介电损耗随Si3N4含量的增加而增大。

关 键 词:石英  氮化硅  天线窗材料  复合材料  介电性能
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