| Cu/Sn等温凝固芯片键合工艺研究 |
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| 引用本文： | 杜茂华,蒋玉齐,罗乐.Cu/Sn等温凝固芯片键合工艺研究[J].功能材料与器件学报,2004,10(4):467-470. |
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| 作者姓名： | 杜茂华 蒋玉齐 罗乐 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;中国科学院研究生院,北京,100039
2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050 |
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| 摘 要： | 研究了Cu/Sn等温凝固芯片键合工艺,对等离子体处理、键合气氛、压力以及Sn层厚度等因素对焊层的键合强度的影响进行了分析和优化。实验表明,等离子体处理过程的引入是保证键合质量的重要因素,在功率500W、时间200s的处理条件下,得到了最大的键合强度;而键合气氛对键合质量有显著的影响,在真空环境下,能得到最佳的键合质量;压力对键合质量的影响较小,施加较小的压力(0.05MPa)即能得到较大的剪切强度;而Sn层厚度对键合质量的影响极小,而较薄的厚度能够缩短键合时间。在最优化条件下,得到的键合强度值全部达到了美军标规定的6.25MPa的强度要求(对于2mm×2mm芯片)。
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| 关 键 词： | 芯片键合 等温凝固 Cu／Sn体系 微结构 |
| 文章编号： | 1007-4252(2004)04-0467-04 |
| 修稿时间： | 2003年12月29 |
Study of die bonding technology for Cu/Sn isothermal solidification |
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| DU Mao -hua ,JIANG Yu -qi ,LUO Le.Study of die bonding technology for Cu/Sn isothermal solidification[J].Journal of Functional Materials and Devices,2004,10(4):467-470. |
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| Authors: | DU Mao -hua JIANG Yu -qi LUO Le |
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| Affiliation: | DU Mao -hua 1,2,JIANG Yu -qi 1,LUO Le 1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | die bonding isothermal solidific ation Cu /Sn system microstruture |
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