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| Sn掺杂对Ga2O3基日盲紫外探测器性能的影响研究 | |
| 引用本文： | 侯爽,刘庆,邢志阳,钱凌轩,刘兴钊.Sn掺杂对Ga2O3基日盲紫外探测器性能的影响研究[J].光电工程,2019,46(10). |
| 作者姓名： | 侯爽 刘庆 邢志阳 钱凌轩 刘兴钊 |
| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川 成都,611731;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川 成都,611731;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川 成都,611731;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川 成都,611731;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川 成都,611731 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;中央高校基本科研业务费专项 |
| 摘 要： | |
| 关 键 词： | Sn掺杂 β-氧化镓 日盲紫外探测器 响应度 |
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