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| p^＋—GaInAsSb／p—GaInAsSb／n—GaSb异质结红外探测器 | |
| 引用本文： | 李树玮,金亿鑫.p^＋—GaInAsSb／p—GaInAsSb／n—GaSb异质结红外探测器[J].高技术通讯,1996,6(2):7-11. |
| 作者姓名： | 李树玮 金亿鑫 |
| 摘 要： | ＧａＩｎＡｓＳｂ是红外探测器中重要的半导体材料之一。我们用水平常压金属氧化物化学气相淀积技术在ｎ型ＧａＳｂ衬底上成功地生长了ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层，用ＰＬ谱，红外吸收谱，Ｘ射线衍射和扫描电子超声显微镜等实验手段对ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层进行了表征。 |
| 关 键 词： | 红外探测器 电子超声显微镜 红外辐射 |
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