| PECVD法生长晶化硅薄膜的机理 |
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| 引用本文： | 白晓宇,郭群超,柳琴,庞宏杰,张滢清,李红波.PECVD法生长晶化硅薄膜的机理[J].材料科学与工程学报,2013,31(3):361-364,435. |
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| 作者姓名： | 白晓宇 郭群超 柳琴 庞宏杰 张滢清 李红波 |
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| 作者单位： | 1. 上海太阳能工程技术研究中心,上海 200241;上海空间电源研究所,上海 200245
2. 上海太阳能工程技术研究中心,上海,200241 |
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| 基金项目： | 国家科技支撑计划资助项目 |
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| 摘 要： | 硅薄膜在太阳电池中有非常重要的应用,薄膜的晶化对硅薄膜的性质和太阳电池效率都有很大影响,研究薄膜晶化理论具有重要意义。选择刻蚀模型认为H原子会轰击薄膜生长表面,打断吸附较弱的化学键,促使形成强的Si-Si键,使薄膜发生晶化。通过Monte Carlo法对具体的生长晶化过程进行了模拟计算,发现薄膜晶相的转变发生在生长温度350K(77℃)以上,并且在低温(T<550K)下,晶化的过程主要发生在氢稀释度90%以上。结果与实验数据在高氢稀释下基本吻合,低氢稀释下有偏差。认为低氢稀释下晶化反应所需中间产物产量少,模型中未被考虑的其他基团影响了它们的相对数量,造成模拟结果的偏差。模型对硅薄膜晶化过程的理论解释有一定的合理性。
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| 关 键 词： | 硅薄膜 晶化 选择刻蚀模型 |
Crystallization Mechanism of Si Film by PECVD |
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| BAI Xiao-yu,GUO Qun-chao,LIU Qin,PANG Hong-jie,ZHANG Ying-qing,LI Hong-bo.Crystallization Mechanism of Si Film by PECVD[J].Journal of Materials Science and Engineering,2013,31(3):361-364,435. |
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| Authors: | BAI Xiao-yu GUO Qun-chao LIU Qin PANG Hong-jie ZHANG Ying-qing LI Hong-bo |
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| Affiliation: | 1,2(1.Shanghai Solar Energy Rsearch Center,Shanghai 200241,China;2.Shanghai Institute of Space Power,Shanghai 200245,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Si film crystallization selective etching model |
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