|
|||||
|
|
| Cu0.4In（0.4）Zn1.2S2纳米线的催化生长 | |
| 引用本文： | 熊志勇,胡建力,李振松,邹超.Cu0.4In（0.4）Zn1.2S2纳米线的催化生长[J].材料科学与工程学报,2014(5):682-685,700. |
| 作者姓名： | 熊志勇 胡建力 李振松 邹超 |
| 作者单位： | 温州大学化学与材料工程学院; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(51102186) |
| 摘 要： | 采用液相法制备了Cu0.4In0.4Zn1.2S2固溶半导体纳米线。对纳米线生长过程的分析表明,纳米线生长遵循溶液-固态-固相机理。前驱体首先受热分解形成Cu1.75S纳米晶,利用其结构中存在的Cu+空位溶解In3+和Zn2+,达到饱和后析出晶体形成Cu0.4In0.4Zn1.2S2固溶半导体纳米线。X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)分析表明,纳米线呈曲折Z形,长度为5μm,具有纤锌矿结构。 |
| 关 键 词： | 纳米线 催化 Cu0.4In0.4Zn1.2S2 硫化亚铜 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
