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| 化学气相沉积法制备GaN纳米线及其形貌结构和生长机理研究 | |
| 引用本文： | 万想,孟宪权,刘义鹤.化学气相沉积法制备GaN纳米线及其形貌结构和生长机理研究[J].功能材料,2014(2). |
| 作者姓名： | 万想 孟宪权 刘义鹤 |
| 作者单位： | 武汉大学物理科学与技术学院; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(11275144,J1210061) |
| 摘 要： | 采用化学气相沉积(CVD)法,分别以Ni、Au为催化剂,氨化金属Ga制备出GaN纳米线。运用SEM,EDX,TEM等表征手段分析了GaN纳米线的形貌与结构。通过改变氨化温度、生长时间、催化剂、衬底以及Ga源和衬底间的距离等生长条件,研究了其对GaN纳米线形貌和结构的影响,通过分析探讨纳米线的生长过程与机制,得到了生长GaN纳米线的最佳工艺。 |
| 关 键 词： | GaN 纳米线 生长机制 |
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