| 高质量自调Q激光晶体Cr4+,Nd3+:Gd3Ga5O12的生长 |
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| 引用本文： | 姜本学 赵志伟 徐军,邓佩珍.高质量自调Q激光晶体Cr4+,Nd3+:Gd3Ga5O12的生长[J].功能材料,2004,35(Z1):201-203. |
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| 作者姓名： | 姜本学 赵志伟 徐军 邓佩珍 |
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| 作者单位： | 姜本学（中国科学院,上海光学精密机械研究所,上海,201800）;赵志伟（中国科学院,上海光学精密机械研究所,上海,201800）;徐军（中国科学院,上海光学精密机械研究所,上海,201800）;邓佩珍（中国科学院,上海光学精密机械研究所,上海,201800） |
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| 摘 要： | 用固相合成、共沉淀等方法合成了Cr4+,Nd3+GGG晶体的单相多晶材料.讨论了共沉淀法和固相合成法合成GGG单相的技术参数.用合成的单相多晶原料生长了高质量的Cr4+,Nd3+GGG单晶.通过测晶体的光谱性质发现Cr4+,Nd3+GGG晶体在400nm和520nm附近存在Cr3+离子的强的吸收峰.在808nm附近存在Nd3+离子宽的吸收带,能与InGa二极管激光有效的耦合;在1100附近有Cr4+的较强的吸收带,可实现对Nd3+的自调Q输出.Cr4+,Nd3+GGG晶体的荧光光谱与NdGGG晶体的一样,发光中心也位于1062nm,但其强度约为NdGGG的1/5～1/6.Cr4+,Nd3+GGG晶体是一种非常有潜力的自调Q激光晶体,可以实现大功率激光器的小型化和全固化.
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| 关 键 词： | 共沉淀法 固相合成法 Cr4+ Nd3+GGG晶体 光谱 |
| 文章编号： | 1001-9731(2004)增刊-0201-03 |
Growth of high quality
laser crystal Cr4+,Nd3+: Gd3Ga5O12
(GGG) |
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| JIANG Ben-xue.Growth of high quality
laser crystal Cr4+,Nd3+: Gd3Ga5O12
(GGG)[J].Journal of Functional Materials,2004,35(Z1):201-203. |
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| Authors: | JIANG Ben-xue |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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