| 低压下碱性铜抛光液对300mm多层铜布线平坦化的研究 |
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| 引用本文： | 郑伟艳,刘玉岭,王辰伟,串利伟,魏文浩,岳红维,曹冠龙.低压下碱性铜抛光液对300mm多层铜布线平坦化的研究[J].功能材料,2012,43(24):3472-3474. |
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| 作者姓名： | 郑伟艳 刘玉岭 王辰伟 串利伟 魏文浩 岳红维 曹冠龙 |
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| 作者单位： | 河北工业大学微电子研究所,天津,300130 |
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| 基金项目： | 国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目 |
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| 摘 要： | 随着微电子技术进一步发展,低k介质的引入使得铜的化学机械平坦化(CMP)须在低压下进行。提出了一种新型碱性铜抛光液,其不含常用的腐蚀抑制剂,并研究了其在低压下抛光及平坦化性能。静态条件下,铜的腐蚀速率较低仅为2nm/min。在低压10.34kPa时,铜的平均去除速率可达633.3nm/min,片内非均匀性(WIWNU)为2.44%。平坦化效率较高,8层铜布线平坦化结果表明,60s即可消去约794.6nm的高低差,且抛光后表面粗糙度低(0.178nm),表面状态好,结果表明此抛光液可用于多层铜布线的平坦化。
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| 关 键 词： | 低压 碱性 铜布线化学机械平坦化 高低差 速率 |
Study of planarization efficiency of an alkaline copper slurry on 300mm pattern wafer CMP |
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| ZHENG Wei-yan,LIU Yu-ling,WANG Chen-wei,CHUAN Li-wei, WEI Wen-hao,YUE Hong-wei,CAO Guan-long.Study of planarization efficiency of an alkaline copper slurry on 300mm pattern wafer CMP[J].Journal of Functional Materials,2012,43(24):3472-3474. |
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| Authors: | ZHENG Wei-yan LIU Yu-ling WANG Chen-wei CHUAN Li-wei WEI Wen-hao YUE Hong-wei CAO Guan-long |
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| Affiliation: | (Institute of Microelectronics,Hebei University of Technology,Tianjin 300130,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | low down pressure alkaline slurry copper pattern wafer CMP step height removal rate |
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