| 掺钽对二氧化钛压敏电阻性能的影响 |
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| 引用本文： | 李长鹏,王矜奉,陈洪存,苏文斌,钟维烈,张沛霖.掺钽对二氧化钛压敏电阻性能的影响[J].功能材料,2001,32(6):622-624. |
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| 作者姓名： | 李长鹏 王矜奉 陈洪存 苏文斌 钟维烈 张沛霖 |
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| 作者单位： | 山东大学物理系, |
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| 摘 要： | 研究了钽对二氧化钛压敏电阻性能的影响。研究中发现掺入 0 .2 5mol %Ta2 O5的样品显示出最低的反转电压 (Eb= 6V/mm)、最高的非线性常数 (α =8.8)以及最高的相对介电常数 (εr=6 .2× 10 4 ) ,与样品电容和电阻的频谱特性相一致。样品的性能变化可用Ta5+ 对Ti4 + 的掺杂取代和该取代存在的饱和值来解释
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| 关 键 词： | 压敏材料 二氧化钛 电学性能 频谱 钽 掺杂 |
| 文章编号： | 1001-9731(2001)06-0622-03 |
| 修稿时间： | 2000年9月7日 |
Effect of Ta2O5 on titania varistor ceramics |
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| LI Chang peng,WANG Jin feng,CHEN Hong cun,SU Wen bin,ZHONG Wei lie,ZHANG Pei lin.Effect of Ta2O5 on titania varistor ceramics[J].Journal of Functional Materials,2001,32(6):622-624. |
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| Authors: | LI Chang peng WANG Jin feng CHEN Hong cun SU Wen bin ZHONG Wei lie ZHANG Pei lin |
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| Keywords: | varistors tantalum oxide electrical properties frequency dependency |
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