| 真空热蒸发镀CIAS薄膜 |
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| 引用本文： | 任海芳,周艳文,肖旋,郑欣.真空热蒸发镀CIAS薄膜[J].功能材料,2015(8):8086-8089. |
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| 作者姓名： | 任海芳 周艳文 肖旋 郑欣 |
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| 作者单位： | 辽宁科技大学 材料与冶金学院,辽宁 鞍山,114051 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(51372109,51172101);辽宁省优秀人才资助项目(LR2012009) |
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| 摘 要： | 采用真空热蒸发方法在普通玻璃基底上制备Cu In0.7Al0.3Se2(CIAS)薄膜,并对之进行450℃真空硒化退火处理。结果表明,制备的CIAS薄膜具有黄铜矿结构并且以(112)晶面优先生长。真空硒化退火后,薄膜晶体结构更完整,晶粒长大,成分分布均匀,更接近CIAS晶体的化学计量比。薄膜为P型半导体,退火后的薄膜禁带宽度减小至1.38 e V,带电粒子数下降至2.41E+17 cm-3,带电粒子迁移率增加至5.29 cm2/(N·s),电阻率升高至4.9Ω·cm。
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| 关 键 词： | CIAS 薄膜 真空蒸发 硒化退火 |
CIAS thin films prepared by vacuum thermal evaporation |
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| REN Hai-fang
,
ZHOU Yan-wen
,
XIAO Xuan
,
ZHENG Xin.CIAS thin films prepared by vacuum thermal evaporation[J].Journal of Functional Materials,2015(8):8086-8089. |
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| Authors: | REN Hai-fang ZHOU Yan-wen XIAO Xuan ZHENG Xin |
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| Affiliation: | REN Hai-fang;ZHOU Yan-wen;XIAO Xuan;ZHENG Xin;School of Materials and Metallurgy,University of Science and Technology Liaoning; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CIAS thin film vacuum evaporation selenium annealing |
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