| 对氧化铟掺杂SnCoNb压敏电阻性能的研究 |
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| 引用本文： | 王文新,王矜奉,陈洪存,苏文斌,臧国忠,王春明,亓鹏.对氧化铟掺杂SnCoNb压敏电阻性能的研究[J].功能材料,2004,35(1):71-73,76. |
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| 作者姓名： | 王文新 王矜奉 陈洪存 苏文斌 臧国忠 王春明 亓鹏 |
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| 作者单位： | 山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(50072013) |
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| 摘 要： | 通过实验对三氧化二铟掺杂的SnO2·Co2O3·Nb2O5压敏电阻的性能进行了研究。所用样品是在1350℃下烧结1h而制成的。实验发现所有样品都具有很高的致密度(相对密度不小于97.6%),这主要是由于Co2O3影响陶瓷的烧结过程造成的。当In2O3掺杂量为0.05mol%时,压敏电阻具有最高的非线性系数(α=19.3)。随着In2O3掺杂量的从0.00mol%增加至0.10mol%,非线性电场强度从213V/mm增加至815V/mm,而平均晶粒尺寸从6.6μm减小至4.9μm,非线性电场的增加与平均晶粒尺寸的减小密切相关;样品的相对介电常数也从2307减小至153,这归因于平均晶粒尺寸与势垒厚度比的减小。
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| 关 键 词： | 压敏材料 非线性系数 二氧化锡 电学性能 压敏电阻器 氧化铟 掺杂 |
| 文章编号： | 1001-9731(2004)01-0071-03 |
Investigation on the properties of In2O3-doped SnCoNb varistors |
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| WANG Wen-xin,WANG Jin-feng,CHEN Hong-cun,SU Wen-bin,ZANG Guo-zhong,WANG Chun-ming,QI Peng.Investigation on the properties of In2O3-doped SnCoNb varistors[J].Journal of Functional Materials,2004,35(1):71-73,76. |
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| Authors: | WANG Wen-xin WANG Jin-feng CHEN Hong-cun SU Wen-bin ZANG Guo-zhong WANG Chun-ming QI Peng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | varistor nonlinear coefficient SnO_2 electrical properties |
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