| TiC和SiC掺杂MgB2超导体的对比研究 |
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| 引用本文： | 张子立,索红莉,马麟,刘敏,李亚明,赵福祥,梁小涛,赵跃,施智祥,周美玲.TiC和SiC掺杂MgB2超导体的对比研究[J].功能材料,2007,38(A02):484-487. |
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| 作者姓名： | 张子立 索红莉 马麟 刘敏 李亚明 赵福祥 梁小涛 赵跃 施智祥 周美玲 |
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| 作者单位： | [1]北京工业大学材料学院国家教育部功能材料重点实验室,北京100022 [2]东南大学物理系,江苏南京210096 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划（973计划）资助项目（2006CB601005）;国家教委全国百篇优秀博士论文专项基金资助项目（200331）;北京市自然科学基金资助项目（2072004）. |
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| 摘 要： | 分别制备了8％（质量分数）的TiC和5％（质量分数）的SiC掺杂的MgB2超导块材，并对比分析了这两种掺杂物对MgB2超导块材的性能影响。所有样品均在流动的Ar气保护下在不同退火温度下退火，研究发现TiC掺杂和SiC掺杂的MgB2样品的最优化工艺参数分别是900℃保温1h和720℃保温1h。随后采用XRD和SEM分别对样品进行了相成份和微观结构的分析，并采用PPMS测试了样品的磁滞回线并由Bean模型计算出了样品的临界电流密度。在4．2K，0T下TiC掺杂的五值为1．0×10^5A／cm^2，而10K，0T下SiC掺杂样品的五值为4×100A／cm^2。而且随着外加磁场的增加，SiC掺杂MgB2样品的五值下降得比TiC掺杂的MgB2样品要缓慢很多，这表明了SiC掺杂比TiC掺杂更有利于改善MgB2在高场下的超导电性能。
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| 关 键 词： | SiC掺杂 TiC掺杂 MgB2超导体 |
| 文章编号： | 1001-9731（2007）增刊-0484-04 |
| 修稿时间： | 2007-07-30 |
Comparision of the superconducting properties in both TiC and SiC doped MgB2 bulks |
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| ZHANG Zi-li, SUO Hong-li, MA Lin, LIU Min, LI Ya-ming, ZHAO Fu-xiang, LIANG Xiao-tao, ZHAO Yue, SHI Zhi-xiang, ZHOU Mei-ling.Comparision of the superconducting properties in both TiC and SiC doped MgB2 bulks[J].Journal of Functional Materials,2007,38(A02):484-487. |
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| Authors: | ZHANG Zi-li SUO Hong-li MA Lin LIU Min LI Ya-ming ZHAO Fu-xiang LIANG Xiao-tao ZHAO Yue SHI Zhi-xiang ZHOU Mei-ling |
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| Affiliation: | 1.Key Laboratory of Advanced Functional Materials, Ministry of Education, China, College of Material Science and Engineering, Beijing University of Technology, Beijing 100022, China; 2.College of Physics, Southeast University, Nanjing 210096, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiC doping magnesium diboride TiC dopin |
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