| Ce:YIG磁光薄膜电子结构的计算 |
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| 引用本文： | 胡华安,王坚红,段志云,何华辉.Ce:YIG磁光薄膜电子结构的计算[J].功能材料,2000,31(5):488-490. |
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| 作者姓名： | 胡华安 王坚红 段志云 何华辉 |
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| 作者单位： | 1. 军事经济学院,湖北,武汉,430035
2. 华中理工大学,湖北,武汉,430074 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目，5702006， |
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| 摘 要： | 采用ＤＶ－Ｘα方法计算了ＹＩＧ、Ｂｉ－ＹＩＧ及Ｃｅ－ＹＩＧ磁光薄膜的电子结构，在能态密度的基础上，得出了导致磁光效庆的两种电转移跃迁。对Ｃｅ＾３＋的掺入，极大地增大了跃迁的振子强度；Ｃｅ５ｄ、Ｃｅ４ｆ与Ｆｅ３ｄ形成具有较大自旋一轨道相互作用的耦合轨道；Ｃｅ＾３＋的掺入产生了新的跃迁；它们是Ｃｅ－ＹＩＧ的磁光效应增大的原因。
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| 关 键 词： | DV－Xα方法 磁光薄膜 电子结构 |
| 文章编号： | 1001-9731(2000)05-0488-03 |
| 修稿时间： | 1999-10-13 |
The Calculation of Electronic Structure of Ce-YIG Magneto-Optic Thin Film |
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| HU Huaan,WANG Jianhong,DUAN Zhiyun,HE Huahui.The Calculation of Electronic Structure of Ce-YIG Magneto-Optic Thin Film[J].Journal of Functional Materials,2000,31(5):488-490. |
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| Authors: | HU Huaan WANG Jianhong DUAN Zhiyun HE Huahui |
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| Affiliation: | HU Huaan ,WANG Jianhong ,DUAN
Zhiyun
(Wuhan Institute of Economics,Wuhan,430035,China)
HE Huahui
(Huazhong University of Science and Technology,Wuhan,430074,China) |
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| Abstract: | |
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