| a-Si:H薄膜的制备工艺对其光电特性的影响 |
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| 引用本文： | 王青,阴生毅,胡跃辉,朱秀红,荣延栋,周怀恩,陈光华.a-Si:H薄膜的制备工艺对其光电特性的影响[J].功能材料,2004,35(Z1):3198-3200. |
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| 作者姓名： | 王青 阴生毅 胡跃辉 朱秀红 荣延栋 周怀恩 陈光华 |
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| 作者单位： | 北京工业大学,新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划973资助项目(G2000028201-1) |
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| 摘 要： | 采用MW-ECR CVD方法制备的a-SiH薄膜在模拟太阳光照射下进行光敏性(σp.σ d)和光致衰退测试.对比了有、无热丝辅助沉积的薄膜的光电特性,得出沉积温度是影响薄膜光敏性的主要因素,而适当温度的热丝辅助对于薄膜的光致衰退有一定延缓作用.
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| 关 键 词： | 氢化非晶硅 氢含量 光敏性 光致衰退 |
| 文章编号： | 1001-9731(2004)增刊-3198-03 |
| 修稿时间： | 2004年3月10日 |
Effect of preparation technology on the photoelectric properties of a-Si:H thin films |
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| WANG Qing,YIN Sheng-yi,HU Yue-hui,ZHU Xiu-hong,RONG Yan-dong,ZHOU Huai-en,CHEN Guang-hua.Effect of preparation technology on the photoelectric properties of a-Si:H thin films[J].Journal of Functional Materials,2004,35(Z1):3198-3200. |
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| Authors: | WANG Qing YIN Sheng-yi HU Yue-hui ZHU Xiu-hong RONG Yan-dong ZHOU Huai-en CHEN Guang-hua |
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