| MOCVD制备SiC:Al薄膜的导电类型调控研究 |
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| 引用本文： | 陈小庆,孙利杰,邬小鹏,钟泽,傅竹西.MOCVD制备SiC:Al薄膜的导电类型调控研究[J].功能材料,2010,41(7). |
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| 作者姓名： | 陈小庆 孙利杰 邬小鹏 钟泽 傅竹西 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学,物理系,安徽,合肥,230026 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，中国科学院三期创新方向性课题资助项目 |
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| 摘 要： | 用MOCVD方法在Si基片上生长了Al掺杂的SiC薄膜,发现三甲基铝(TMA)源载气流量与硅烷流量之比的大小,会决定薄膜的导电类型。用XPS方法测试样品后发现,TMA载气流量与硅烷流量比直接影响Al原子在SiC薄膜中的含量。Al含量在1.5%以下,Al原子在SiC薄膜中主要以填隙形式(Ali)存在,薄膜显示出n型;而Al含量在1.5%～3%之间的时候,Al原子主要以替位Si(AlSi)的形式存在,薄膜显示出p型。继续增加掺杂源的流量,所得SiC薄膜结晶质量会变得较差,电阻也变得较高。
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| 关 键 词： | 导电类型 |
Growth control on the conduction type of SiC:Al films with MOCVD method |
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| CHEN Xiao-qing,SUN Li-jie,WU Xiao-peng,ZHONG Ze,FU Zhu-xi.Growth control on the conduction type of SiC:Al films with MOCVD method[J].Journal of Functional Materials,2010,41(7). |
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| Authors: | CHEN Xiao-qing SUN Li-jie WU Xiao-peng ZHONG Ze FU Zhu-xi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | 3C-SiC SiC:Al MOCVD |
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