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| Ag掺杂对新型SnO2压敏材料的电学性质的影响 | |
| 引用本文： | 王矜奉,陈洪存,王文新,苏文斌,臧国忠,亓鹏,王春明,赵春华,高建鲁.Ag掺杂对新型SnO2压敏材料的电学性质的影响[J].功能材料,2003,34(6):685-686,689. |
| 作者姓名： | 王矜奉 陈洪存 王文新 苏文斌 臧国忠 亓鹏 王春明 赵春华 高建鲁 |
| 作者单位： | 1. 山东大学,物理与微电子学院,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100 2. 滨州师范专科学校,物理系,山东,滨州,256604 3. 济南安太电子研究所,山东,济南,250010 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，50072013， |
| 摘 要： | 烧渗银电极对压敏电阻的性能是有很大影响的.为了弄清Ag对(Co、Nb)掺杂的新型SnO2压敏材料电学性质的影响,做了组分为SnO2+1.50%CoCl2*6H2O+0.10%Nb2O5+x%Ag2O(x=0.00、0.02、0.50和1.00)的系统实验.当AgO的含量从0.00增加到1mol%时,(Co, Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从349V/mm增大到429V/mm,1kHz时的相对介电常数从2240减小到1560.晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压急剧增高和介电常数迅速减小的主要原因.对Ag掺杂量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释. |
| 关 键 词： | 氧化银 二氧化锡 势垒 电学非线性 掺杂 压敏电阻 |
| 文章编号： | 1001-9731(2003)06-0685-02 |
Effect of Ag dopant on the electrical properties of novel SnO2 varistors |
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| Abstract: | |
| Keywords: | silver oxide tin oxide barrier electrical nonlinearity |
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