铜铬复合基底中Cr含量对CNTs薄膜生长的影响研究

采用酞菁铁(FePc)热解法在铜铬复合基底上制备碳纳米管(CNTs)薄膜,通过SEM、TEM、拉曼光谱等表征手段对不同基底上CNTs薄膜的生长情况进行了分析。研究结果表明,富铜(Cu)区存在束状团聚CNTs颗粒,其大小和分布密度在铬(Cr)含量为1%~3%(wt,质量分数)时,达到最大。富Cr区表面CNTs无束状团聚颗粒,且较富Cu区CNTs薄膜生长致密、平整。随着Cr含量增加,CNTs石墨化程度略有增高,其原因可能是石墨层包裹的铁(Fe)催化剂颗粒增多所致。基底Cr含量为3%的CNTs,其场发射电流密度达到460μA/cm~2,相比铜基底CNTs有较大幅度的提升。研究表明Cr含量对CNTs薄膜的生长调控具有显著作用。