| 2～5GHz 0.18μm CMOS宽带低噪声放大器设计 |
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| 引用本文： | 何小威,张民选.2～5GHz 0.18μm CMOS宽带低噪声放大器设计[J].计算机工程与科学,2011,33(2):61. |
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| 作者姓名： | 何小威 张民选 |
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| 作者单位： | 并行与分布处理国防科技重点实验室,湖南,长沙,410073 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(60873212) |
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| 摘 要： | 本文设计实现了一个2～5GHz的两级CMOS低噪声放大器(LNA),可应用在超宽带的下半频段(3.1～5GHz)。LNA由两级组成,第一级是一个共栅级,保持良好的线性度并完成较好的输入匹配;第二级是一个共源级堆叠一个电流源,在保持低噪声系数的同时降低功耗。通过级联共栅和共源结构进行增益补偿,所设计的LNA具有近似恒定的增益和噪声系数。采用0.18μm CMOS工艺实现后,模拟结果表明,增益和噪声系数在2～5GHz频率范围内分别为11.5dB和5.1dB,输入反射系数低于-22dB。在4GHz时,模拟得到的三阶交调点为-10dBm。在1.8V电源电压下,LNA的功耗约为11mW。
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| 关 键 词： | 低噪声放大器 超宽带 噪声系数 三阶交调点 |
Design of a 2~5GHz 0.18μm CMOS Wideband Low Noise Amplifier |
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| HE Xiao-wei,ZHANG Min-xuan.Design of a 2~5GHz 0.18μm CMOS Wideband Low Noise Amplifier[J].Computer Engineering & Science,2011,33(2):61. |
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| Authors: | HE Xiao-wei ZHANG Min-xuan |
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| Affiliation: | HE Xiao-wei,ZHANG Min-xuan(National Laboratory for Parallel and Distributed Processing,Changsha 410073,China) |
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| Abstract: | A two-stage 2-5GHz CMOS Low Noise Amplifier(LNA) for the lower side of Ultra-Wide-Band(UWB) applications(3.1-5GHz) is presented.This LNA consists of two stages.The first stage is a common-gate structure maintaining good linearity with better input matching;the second stage is a common-source stage stacked with a current mirror,which obtains low Noise Figure(NF) and reduces the LNA's power consumption.By introducing common-gate and common-source stages to compensate gain mutually,the proposed LNA has achieve... |
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| Keywords: | low noise amplifier(LNA) ultra-wide-band(UWB) noise figure(NF) input-referred third-order intercept point(IIP3) |
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